长鑫上市前，高盛紧急召开电话会：中国DRAM产能有望翻倍 IPO引发全球关注。长鑫科技IPO前夕，高盛紧急召开中国存储专家电话会。会议透露，一季度长鑫DRAM全球份额达8%，收入同比暴涨719%；预计到2030年，其产能有望翻倍。HBM3量产计划锁定在2026年。
7月27日，长鑫科技正式登陆资本市场，吸引了全球投资者的关注。高盛在7月24日组织了这次电话会议，围绕中国DRAM产能扩张、产品研发进展及全球存储价格走势三大议题展开讨论。参会的专家曾在长鑫存储担任高级总监，并在三星电子任职长达18年。
尽管长鑫目前不能量产AI大厂紧缺的HBM（高带宽存储），但因头部海外厂商优先将晶圆产能倾斜给高毛利HBM，导致消费级和通用DRAM价格暴涨，使得长鑫收益显著增加。IPO融资后，长鑫不仅将继续扩产DRAM，还将向HBM等技术领域进军。
专家对中国本土DRAM供应商的产能扩张前景持乐观态度，预计到2030年，国内行业龙头年产能有望较目前翻倍。新增产能布局覆盖合肥、上海、北京三地，预计均在2028年前全面投产。此外，一处超大型基地将于2028年后开始贡献产能，进一步推动国产DRAM供给持续增长。
新增DRAM产能不仅采购国际一线设备，也在加速引入国产半导体设备。部分工厂在光刻机以外的环节已主要采用本土设备，为国产设备供应商提供了历史性渗透机会。高盛认为，中国DRAM产能扩张不可逆，北方华创、中微等国产设备商将从中受益。
中国本土DRAM龙头的产品技术不断迭代，工艺升级带动产品性能提升，但仍与三星、SK海力士等全球一线厂商存在差距。HBM3及HBM3E量产是本土龙头2026年的明确目标。由于EUV极紫外光刻设备的出口管制，国内厂商需借助DUV及其他创新工艺路线开发高端产品。专家预判，3D DRAM有望在2027年实现新突破，为绕过EUV限制提供可行路径。
